FD-SOI FPGA的特点

  电路层次的改善     

  性能更优、频率更高、速度更快

     与同代体碰工艺相比，FD-SOI基电路通过增加正向体偏置FBB，工作频率可提高30%。

  器件层与村底隔斋、静态功耗更低

     通过反向体偏置 RBB， FD-501 基电路可工作在更低的额定电压，静态功耗降低 70%。FD-SOI FPGA适用于物联网、人工智，低功耗计算和5G应用。

  延续平面工艺,性价比高

     与 FinFET 工艺相比，FD-SOI 整套工艺所需掩膜板数量更少，费用更节省，性价比更优，从传统体硅工艺进行设计迁移也更加简单便捷。

  软错误率低,可靠性优异

     与传统体硅和先进的FinFET工艺相比，FD-SOI基电路具有更低的本征软错误率，更加适用于汽车电子、航空航天,电力装备、生命维持系统等高可靠领域。人工智能、低功耗计算和5G应用。

  产品层面的优势  

         

 功耗降低75%      SEU 小于1.0e-8Upset/bit/day      功耗性能自适应管理

 

  适用应用领域

     人工智能、边缘计算,汽车电子、物联网、消费类终端、电力、民用航天